什么是耗散型石英晶體微天平？

為稱量極小質量和軟的物質而量身定制的特殊“天平”

QCM-D，是耗散型石英晶體微天平的簡稱，它實質上是一個適用于稱量極小質量的物質的天平。耗散型石英晶體微天平（QCM-D）是石英晶體微天平（QCM）的擴展型，QCM是一種從60年代沿用至今的用于測量真空或氣相中表面質量變化的技術。QCM技術可以實時測量芯片表面上吸附或損失的質量，因此非常適合測量諸如電子半導體器件或光學薄膜等薄膜沉積過程中膜的形成速率以及厚度。

不同的QCM適用于不同種類的薄膜

在真空或氣相中沉積的薄膜通常非常薄且堅硬，這使得它們非常適合用QCM來研究并輸出參數(shù)。在這種情況下，諧振頻率的變化與芯片表面質量的變化呈線性相關。在其他介質中，如液體、或其他類型的較軟的吸附層，如生物分子形成的吸附層。標準的QCM由于受限于與膜的性質有關的測試原理并不適用。然而，QCM-D是一種擴展版本的QCM，特別適用于表征軟吸附層的特性。由于附加了耗散信號的測量，使軟的吸附層的質量和厚度變化也可以定量的測得。

什么樣的吸附層是軟的？

軟的吸附層通常由生物分子、聚合物、土壤、例如油脂、或其他任何類型的不具有固體性質的材料構成。還有一些“硬”（分子本身是剛性）的分子通過溶劑化或水合作用形成的宏觀尺度上具有類似于軟膜性質的吸附層。舉個這樣的例子，如纖維素纖維，在干燥狀態(tài)下表現(xiàn)為剛性的吸附在表面上，但當暴露在水中便會膨脹并形成一個水合軟層。

探究剛性吸附層與軟吸附層之間的轉換

剛才，我們已經(jīng)討論了QCM-D適用于表征軟膜的質量和厚度。這些信息與分析表面是否發(fā)生相互作用及定量表征有關。諸如“多少材料吸附到表面？”或者“從表面脫附了多少？”“這個過程有多快？”的問題都可以得到解答。利用QCM-D還可以測量薄膜的柔軟性。這些信息可以分析吸附在表面上的分子的排列方式。例如，它們是形成較為緊密的排布或者較為疏松的分布在表面上。它們是平躺在表面上還是延伸出來。由于柔軟度是作為時間的函數(shù)來測量的，所以可以在固定的過程中檢測和跟蹤分子結構變化，如溶脹過程或交聯(lián)過程，如圖1所示。

圖1. QCM-D檢測到的硬膜與軟膜間相互轉化過程的示意圖

綠色插圖（上圖）顯示了一層的交聯(lián)或折疊。最初，分子在表面排列稀松呈延展狀態(tài)形成水合層。當交聯(lián)發(fā)生時，分子發(fā)生折疊并在表面形成薄而堅硬的吸附層，圖中綠色曲線說明了厚度的變化。藍色插圖（下圖）顯示了相反的效果。最初，表面有一層薄而硬的層，然后膨脹變得厚而軟，圖中藍色曲線說明了厚度的變化。