陰極發光(CL)技術是研究GaN性質的一種快速和高度相關的方法。非輻射缺陷如位錯的分布可以直觀地顯示出來。以下的能帶隙發射線的能量允許我們識別點缺陷。陰極發光高光譜圖提供了應變、摻雜、生長方向和載流子濃度的空間變化信息。在實際應用中，通過限制電子束與樣品相互作用體積的大小，可以大大提高空間分辨率。像TEM樣品這樣的薄物體的使用恰好克服了這種物理限制。它顯著地將相互作用體積的橫向尺寸從550 nm(束能為10 keV的GaN)降低到30 nm以下。Attolight設計了一種與TEM樣品兼容的特殊低溫樣品架，用于低溫下在Attolight陰極發光顯微鏡上進行測量。
 

      然而，樣品中較小的探測體積可能會顯著降低采集到的信號，從而限制測量分辨率。Attolight CL系統優化后的集光系統完美地克服了這一困難。它允許在短時間內對橫斷面TEM樣品進行高分辨率的高光譜映射(具有非常高的信噪比)。這樣的測量并不局限于氮化鎵，并且可以擴展到許多其他發光材料。
 

       該方案是Attolight陰極發光顯微鏡在LED光電失效分析應用層面的完美體現，它做到了以下4個方面使Attolight陰極發光顯微鏡成為光電失效分析及LED應用方面的優先選擇。

1、具有良好的位錯網絡可視化和與樣品同一區域TEM圖像的相關性

2、堆疊不同組分(AlN, GaNs，量子阱等)的空間發光映射

3、通過CL譜中的能量位移估計位錯和界面周圍的局部應變和摻雜

4、點缺陷的識別與空間分布